刘智崑
长聘副教授所在系所：制造技术与装备自动化研究所
电子邮件：liuzhikun@sjtu.edu.cn
通讯地址：上海交通大学机动学院A楼630房
个人主页：
教育背景
博士，制造工程，Purdue University, 美国，2015年
学士，材料物理，南京大学，中国，2009年
交换生，材料工学部，九州大学，日本，2008年
工作经历
博士后，半导体晶体管，华南理工大学，中国，2016年-2019年
博士后，纳米制造，Purdue University, 美国，2015年-2016年
研究方向
硅基集成电路先进制程的前沿研究，包括：
（1）选区外延与原子制造；
（2）新型硅前驱体；
（3）工业级原子力显微镜；
（4）晶体管的原理，设计与制备。
科研项目
多维纳米能量转换材料研究，国家级
双悬臂外延法制备低位错密度GaN HEMT及其位错效应研究，国家自然科学基金青年科学基金
国家级研究任务多项
代表性论文专著
（1）选区外延与原子制造:
Jin Hu, Jin Qin, Yongsen He and Zhikun Liu*, Selective epitaxial growth of silicon induced by localized surface plasmon, Applied Surface Science, 2025, 699,1, 163167.
（2）新型硅前驱体:
Zhikun Liu*, Xingjie Yang and Ping Chen, A novel perchlorinated cyclohexasilane salt with intramolecular hydrogen bonding and its application in the synthesis of cyclohexasilane, Current Organic Chemistry, 2026, 30, 1, 67.
（3）晶体管的原理，设计与制备：
Yakui Mu, Siyu Liu, Yanming Wang, Zhikun Liu* and Mingzhen Zhao*, Understanding electron transport mechanisms in monolayer MoS2 transistors: impact of lattice phonon scattering and localized charge traps, Physical Review B, 2024, 110, 115414.
Dingbo Chen, Zhikun Liu*, Jinghan Liang, Lijun Wan, Zhuoliang Xie and Guoqiang Li *， A sandwich-structured AlGaN/GaN HEMT with broad transconductance and high breakdown voltage，Journal of Materials Chemistry C, 2019,7, 12075-12079.【内封面文章】
Zhikun Liu, Dingbo Chen, Lijun Wan, and Guoqiang Li*, Micron-scale annealing for Ohmic contact formation applied in GaN HEMT Gate-first Technology, IEEE Electron Device Letters, 2018, 39:12 1896-1899. 【Semiconductor-Today.com专题报道】
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